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APT40GP60SG备选型号: APT25GR120S
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- ECCN 代码
- 功率 - 最大
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(2 Tab) D3PAK表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3SILICON600V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®1999e3yes活跃1 (Unlimited)2纯哑光锡低导通损耗600V543W鸥翼245100A303R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V100A49 ns2.7V @ 15V, 40A158 nsPT135nC160A20ns/64ns385μJ (on), 352μJ (off)无符合RoHS标准无铅------- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA--1.2kV-55°C~150°C TJBulk-2001--活跃1 (Unlimited)----521W--------Standard-N-CHANNEL3.2V75A-3.2V @ 15V, 25A-NPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)-符合RoHS标准无铅19 WeeksEAR99521W1200V30V6.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXGT72N60A3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 600V 75A 540W TO268 | 对比 |
| IXGT60N60C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 600V 75A 380W TO268 | 对比 |
| APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
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