Microsemi Corporation APT40GP60SG

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 40A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

纯哑光锡

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

543W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

100A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

接通时间

49 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

158 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

135nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

20ns/64ns

开关能量

385μJ (on), 352μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅