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APT40GP60SG备选型号: APT25GR120SD15
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- 电压 - 额定直流
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- IGBT类型
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
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- 接通延迟时间
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(2 Tab) D3PAK表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3SILICON600V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®1999e3yes活跃1 (Unlimited)2纯哑光锡低导通损耗600V543W鸥翼245100A303R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V100A49 ns2.7V @ 15V, 40A158 nsPT135nC160A20ns/64ns385μJ (on), 352μJ (off)无符合RoHS标准无铅--------- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA--1.2kV-55°C~150°C TJTube-2001--活跃1 (Unlimited)----521W--------Standard-N-CHANNEL3.2V75A-3.2V @ 15V, 25A-NPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)-符合RoHS标准无铅IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago)30 WeeksEAR9916 ns521W1200V30V6.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXGT72N60A3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 600V 75A 540W TO268 | 对比 |
| IXGT60N60C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 600V 75A 380W TO268 | 对比 |
| APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
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