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首页 全部分类 APT40GP90B2DQ2G vs APT25GP90BG

APT40GP90B2DQ2G备选型号: APT25GP90BG

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-30代码
  • JEDEC-95代码
  • Microsemi Corporation
    APT40GP90B2DQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 101A 543W TMAX
    NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 1 month ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    900V
    543W
    101A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    101A
    37 ns
    3.9V @ 15V, 40A
    220 ns
    PT
    145nC
    160A
    14ns/90ns
    795μJ (off)
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT25GP90BG
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 72A 417W TO247
    -
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    900V
    417W
    72A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    72A
    29 ns
    3.9V @ 15V, 25A
    190 ns
    PT
    110nC
    110A
    13ns/55ns
    370μJ (off)
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    R-PSFM-T3
    TO-247AD
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