APT40GP90B2DQ2G备选型号: APT43GA90BD30
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- JESD-30代码
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT 900V 101A 543W TMAXNOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 1 month ago)30 Weeks通孔通孔TO-247-3 Variant3SILICON900V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®1999e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗900V543W101A3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL900V101A37 ns3.9V @ 15V, 40A220 nsPT145nC160A14ns/90ns795μJ (off)6V无符合RoHS标准无铅--------
- IGBT 900V 78A 337W TO247-25 Weeks通孔通孔TO-247-3-SILICON900V-55°C~150°C TJTube-1999-yes活跃1 (Unlimited)3Pure Matte Tin (Sn)低导通损耗-337W-3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL900V78A28 ns3.1V @ 15V, 47A246 nsPT116nC129A12ns/82ns875μJ (on), 425μJ (off)-无符合RoHS标准-38.000013g2.5VEAR99R-PSFM-T378A5.31mm21.46mm16.26mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXGH50N90B2D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD | 对比 |
![]() | APT43GA90BD30 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 900V 78A 337W TO247 | 对比 |
![]() | APT25GP90BG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 900V 72A 417W TO247 | 对比 |





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