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首页 全部分类 APT40GP90B2DQ2G vs IRG4PF50WPBF

APT40GP90B2DQ2G备选型号: IRG4PF50WPBF

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT40GP90B2DQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 101A 543W TMAX
    NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 1 month ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    900V
    543W
    101A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    101A
    37 ns
    3.9V @ 15V, 40A
    220 ns
    PT
    145nC
    160A
    14ns/90ns
    795μJ (off)
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PF50WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 900V 51A 200W TO247AC
    -
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2004
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    -
    低导通损耗
    600V
    200W
    51A
    -
    Dual
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    51A
    54 ns
    2.7V @ 15V, 28A
    370 ns
    -
    160nC
    204A
    29ns/110ns
    190μJ (on), 1.06mJ (off)
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    38.000013g
    2.25V
    通孔
    EAR99
    SINGLE
    200W
    29 ns
    26ns
    TO-247AC
    20V
    220ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
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