APT40GP90J备选型号: APT40GL120JU2

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  • 晶体管应用
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    低导通损耗
    284W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    284W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    900V
    68A
    250μA
    3.3nF
    43 ns
    3.9V @ 15V, 40A
    215 ns
    PT
    20V
    3.3nF @ 25V
    3.9 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 65A 4-Pin SOT-227
    Chassis, Screw, Stud
    Chassis, Stud Mount
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    -
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    220W
    -
    -
    -
    Single
    -
    220W
    -
    -
    Standard
    2.25V
    65A
    250μA
    1.95nF
    -
    2.25V @ 15V, 35A
    -
    沟渠现场停车
    20V
    1.95nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    36 Weeks
    EAR99
    1200V
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