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首页 全部分类 APT40GP90J vs IXYN80N90C3H1

APT40GP90J备选型号: IXYN80N90C3H1

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  • 接通时间
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  • IGBT类型
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT40GP90J
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    低导通损耗
    284W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    284W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    900V
    68A
    250μA
    3.3nF
    43 ns
    3.9V @ 15V, 40A
    215 ns
    PT
    无
    20V
    3.3nF @ 25V
    3.9 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYN80N90C3H1
    IXYS
    IGBT Modules 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
    Chassis Mount, Panel
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    900V
    -55°C~150°C TJ
    XPT™, GenX3™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    500W
    -
    -
    -
    Single
    -
    500W
    -
    -
    Standard
    900V
    115A
    25μA
    4.55nF
    -
    2.7V @ 15V, 80A
    -
    -
    无
    -
    4.55nF @ 25V
    -
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    30.000004g
    2.7V
    9.6mm
    38.23mm
    25.07mm
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