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APT40GP90J备选型号: APT46GA90JD40

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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT40GP90J
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    低导通损耗
    284W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    284W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    900V
    68A
    250μA
    3.3nF
    43 ns
    3.9V @ 15V, 40A
    215 ns
    PT
    无
    20V
    3.3nF @ 25V
    3.9 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT46GA90JD40
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 8™
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
    284W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    ISOLATED
    284W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    900V
    87A
    350μA
    4.17nF
    44 ns
    3.1V @ 15V, 47A
    365 ns
    PT
    无
    -
    4.17nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    29 Weeks
    30.000004g
    2.5V
    EAR99
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
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