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APT43GA90B备选型号: APT25GP90BDQ1G
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）
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IGBT 900V 78A 337W TO-2476 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON900V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 8™1999e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗337W3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard337W电源控制N-CHANNEL900V78A28 ns3.1V @ 15V, 25A246 nsPT116nC129A12ns/82ns875μJ (on), 425μJ (off)无符合RoHS标准-------- Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 3-Pin(3 Tab) TO-24719 Weeks通孔通孔TO-247-3-900V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®1999--不用于新设计1 (Unlimited)---417W--Single-Standard417W--900V72A-3.9V @ 15V, 25A-PT110nC110A13ns/55ns370μJ (off)-符合RoHS标准TO-247 [B]150°C-55°C900V72A900V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 900V 63A 290W TO247 | 对比 |
 | IXGH50N90B2D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD | 对比 |
| APT25GP90BDQ1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
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