APT43GA90B备选型号: APT35GA90B
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 辐射硬化
- RoHS状态
- IGBT 900V 78A 337W TO-2476 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON900V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 8™1999e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗337W3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard337W电源控制N-CHANNEL900V78A28 ns3.1V @ 15V, 25A246 nsPT116nC129A12ns/82ns875μJ (on), 425μJ (off)无符合RoHS标准
- IGBT 900V 63A 290W TO-24732 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON900V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 8™-e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗290W3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard290W电源控制N-CHANNEL900V63A25 ns3.1V @ 15V, 18A298 nsPT84nC105A12ns/104ns642μJ (on), 382μJ (off)无符合RoHS标准
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 900V 63A 290W TO247 | 对比 |
![]() | IXGH50N90B2D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD | 对比 |
![]() | APT25GP90BDQ1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |




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