APT45GP120BG备选型号: APT75GP120B2G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 功率 - 最大
- IGBT 1200V 100A 625W TO24723 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013gSILICON1.2kV3.3V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®1999e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗1.2kV625W100A3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV100ATO-247AD1200V47 ns3.9V @ 15V, 45A100A230 nsPT185nC170A18ns/102ns900μJ (on), 904μJ (off)5.31mm21.46mm16.26mm无符合RoHS标准无铅--
- IGBT 1200V 100A 1042W TMAX23 Weeks通孔通孔TO-247-3 Variant-SILICON1.2kV3.3V-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®1999e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS1.2kV1.042kW100A3-SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV100A-1200V60 ns3.9V @ 15V, 75A100A359 nsPT320nC300A20ns/163ns1620μJ (on), 2500μJ (off)5.31mm21.46mm16.26mm无符合RoHS标准无铅31042W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXYH50N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 100A 750W TO247AD | 对比 |
![]() | APT75GP120B2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 Variant | IGBT 1200V 100A 1042W TMAX | 对比 |
![]() | IRG8P60N120KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC | 对比 |






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