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首页 全部分类 APT45GP120BG vs IXYH50N120C3

APT45GP120BG备选型号: IXYH50N120C3

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  • IGBT类型
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
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  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT45GP120BG
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 100A 625W TO247
    23 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    3.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    1.2kV
    625W
    100A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    100A
    TO-247AD
    1200V
    47 ns
    3.9V @ 15V, 45A
    100A
    230 ns
    PT
    185nC
    170A
    18ns/102ns
    900μJ (on), 904μJ (off)
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYH50N120C3
    IXYS
    IGBT 1200V 100A 750W TO247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    1.2kV
    2.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    750W
    -
    3
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    100A
    TO-247AD
    1200V
    82 ns
    3.5V @ 15V, 50A
    -
    372 ns
    -
    142nC
    240A
    28ns/133ns
    3mJ (on), 1mJ (off)
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    EAR99
    不合格
    625W
    28 ns
    750W
    20V
    5V
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