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首页 全部分类 APT50GP60B2DQ2G vs FGH75N60SFTU

APT50GP60B2DQ2G备选型号: FGH75N60SFTU

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 功率 - 最大
  • JEDEC-95代码
  • Microsemi Corporation
    APT50GP60B2DQ2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    600V
    625W
    150A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    55 ns
    2.7V @ 15V, 50A
    200 ns
    PT
    165nC
    190A
    19ns/85ns
    465μJ (on), 635μJ (off)
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH75N60SFTU
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin(3 Tab) TO-247AB Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    哑光锡
    -
    -
    452W
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    87 ns
    2.9V @ 15V, 75A
    159 ns
    场站
    250nC
    225A
    26ns/138ns
    2.7mJ (on), 1mJ (off)
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    6.39g
    EAR99
    8541.29.00.95
    452W
    TO-247AB
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