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首页 全部分类 APT50GP60B2DQ2G vs IXXH75N60C3D1

APT50GP60B2DQ2G备选型号: IXXH75N60C3D1

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  • 引脚数量
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  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT50GP60B2DQ2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    600V
    625W
    150A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    55 ns
    2.7V @ 15V, 50A
    200 ns
    PT
    165nC
    190A
    19ns/85ns
    465μJ (on), 635μJ (off)
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH75N60C3D1
    IXYS
    IGBT 600V 150A 750W TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    750W
    -
    3
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.3V
    150A
    105 ns
    2.3V @ 15V, 60A
    185 ns
    PT
    107nC
    300A
    35ns/90ns
    1.6mJ (on), 800μJ (off)
    5.5V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    750W
    25 ns
    TO-247AD
    20V
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