您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APT54GA60BD30 vs HGTG20N60A4

APT54GA60BD30备选型号: HGTG20N60A4

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT54GA60BD30
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 96A 416W TO247
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Pure Matte Tin (Sn)
    低导通损耗
    416W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    416W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    96A
    TO-247AD
    37 ns
    2.5V @ 15V, 32A
    291 ns
    PT
    28nC
    161A
    17ns/112ns
    534μJ (on), 466μJ (off)
    30V
    6V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG20N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 70A 290W TO247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    低导通损耗
    290W
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    -
    28 ns
    2.7V @ 15V, 20A
    160 ns
    -
    142nC
    280A
    15ns/73ns
    105μJ (on), 150μJ (off)
    20V
    7V
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    3
    6.39g
    1.8V
    e3
    8541.29.00.95
    600V
    70A
    HGTG20N60
    290W
    15 ns
    12ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 100A 333W TO247-3 对比
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 对比
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4 ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 70A 290W TO247 对比