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首页 全部分类 APT54GA60BD30 vs IKW50N60H3FKSA1

APT54GA60BD30备选型号: IKW50N60H3FKSA1

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  • 元素配置
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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 反向恢复时间
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT54GA60BD30
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 96A 416W TO247
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Pure Matte Tin (Sn)
    低导通损耗
    416W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    416W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    96A
    TO-247AD
    37 ns
    2.5V @ 15V, 32A
    291 ns
    PT
    28nC
    161A
    17ns/112ns
    534μJ (on), 466μJ (off)
    30V
    6V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKW50N60H3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 100A 333W TO247-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    333W
    3
    -
    Single
    -
    Standard
    333W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    -
    54 ns
    2.3V @ 15V, 50A
    297 ns
    沟渠现场停车
    315nC
    200A
    23ns/235ns
    2.36mJ
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    3
    TrenchStop®
    e3
    130 ns
    无铅
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