APT60GT60BRG备选型号: NGTB50N60S1WG
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- 功率 - 最大
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- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 反向恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-24724 WeeksTin通孔通孔TO-247-3TO-247 [B]600V-55°C~150°C TJTubeThunderbolt IGBT®1999活跃1 (Unlimited)150°C-55°C600V500W100ASingleStandard500W600V100A600V2.5V @ 15V, 60ANPT275nC360A26ns/395ns3.4mJ无符合RoHS标准无铅--------------
- ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins4 Weeks-通孔通孔TO-247-3-600V-55°C~175°C TJTube-2009Obsolete1 (Unlimited)---417W-SingleStandard417W2V100A-2V @ 15V, 50ATrench220nC200A100ns/237ns1.5mJ (on), 460μJ (off)-符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)31.8Ve3yesEAR99Tin (Sn)未说明未说明94 ns21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | 对比 |
| NGTB50N60S1WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 | |
![]() | IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | 对比 |




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