Infineon Technologies IGW50N60H3FKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100A

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 50A, 7 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

输入类型

Standard

功率 - 最大

333W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

接通时间

54 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

297 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

315nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

23ns/235ns

开关能量

2.36mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant