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首页 全部分类 APT64GA90LD30 vs IXGK28N140B3H1

APT64GA90LD30备选型号: IXGK28N140B3H1

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  • 宽度
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT64GA90LD30
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.6g
    SILICON
    900V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    500W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    117A
    44 ns
    3.1V @ 15V, 38A
    117A
    352 ns
    PT
    162nC
    193A
    18ns/131ns
    1192μJ (on), 1088μJ (off)
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGK28N140B3H1
    IXYS
    IGBT 1400V 60A 300W TO264
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.000011g
    SILICON
    1.4kV
    3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2010
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    300W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.4kV
    60A
    66 ns
    3.6V @ 15V, 28A
    -
    915 ns
    PT
    88nC
    150A
    16ns/190ns
    3.6mJ (on), 3.9mJ (off)
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    未说明
    未说明
    不合格
    300W
    350 ns
    1400V
    20V
    5V
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