APT68GA60LD40备选型号: APT100GN60LDQ4G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 连续集电极电流
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    520W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    520W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    121A
    22 ns
    46 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    304 ns
    PT
    198nC
    202A
    21ns/133ns
    715μJ (on), 607μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT 600V 229A 625W TO264
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    HIGH RELIABILITY
    625W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    229A
    -
    96 ns
    1.85V @ 15V, 100A
    435 ns
    沟渠现场停车
    600nC
    300A
    31ns/310ns
    4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
    符合RoHS标准
    Tin
    10.6g
    1.5V
    EAR99
    600V
    100A
    229A
    30V
    6.5V
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APT100GN60LDQ4G APT100GN60LDQ4G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 单个 TO-264-3, TO-264AA IGBT 600V 229A 625W TO264 对比
APT75GN60LDQ3G APT75GN60LDQ3G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 单个 TO-264-3, TO-264AA Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3 Tab) TO-264 对比
APT65GP60L2DQ2G APT65GP60L2DQ2G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 单个 TO-264-3, TO-264AA Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX 对比