APT68GA60LD40备选型号: APT65GP60L2DQ2G

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  • 功率 - 最大
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td(开/关)@25°C
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    520W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    520W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    121A
    22 ns
    46 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    304 ns
    PT
    198nC
    202A
    21ns/133ns
    715μJ (on), 607μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    833W
    3
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    198A
    -
    85 ns
    2.7V @ 15V, 65A
    220 ns
    PT
    210nC
    250A
    30ns/90ns
    605μJ (on), 895μJ (off)
    符合RoHS标准
    3
    EAR99
    600V
    198A
    6V
    无铅
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