Microsemi Corporation APT68GA60LD40

工厂交货时间

25 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 40A, 4.7 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

520W

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

520W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

121A

反向恢复时间

22 ns

接通时间

46 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

304 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

198nC

集极脉冲电流（Icm）

202A

Td（开/关）@25°C

21ns/133ns

开关能量

715μJ (on), 607μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准