APT68GA60LD40备选型号: IXGK64N60B3D1

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
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  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 121A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    520W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    520W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    121A
    22 ns
    46 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    304 ns
    PT
    198nC
    202A
    21ns/133ns
    715μJ (on), 607μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IGBT 600V 460W TO264
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    460W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    400A
    35 ns
    64 ns
    1.8V @ 15V, 50A
    326 ns
    PT
    168nC
    -
    25ns/138ns
    1.5mJ (on), 1mJ (off)
    -
    ROHS3 Compliant
    600V
    未说明
    unknown
    未说明
    不合格
    460W
    20V
    5V
    无铅
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