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首页 全部分类 APT75GP120B2G vs APT40GR120B2D30

APT75GP120B2G备选型号: APT40GR120B2D30

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  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 接通延迟时间
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT75GP120B2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
    23 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    1.2kV
    3.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    1.2kV
    1.042kW
    100A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    1042W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    100A
    1200V
    60 ns
    3.9V @ 15V, 75A
    100A
    359 ns
    PT
    320nC
    300A
    20ns/163ns
    1620μJ (on), 2500μJ (off)
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT40GR120B2D30
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 88A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2001
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    500W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    88A
    1200V
    -
    3.2V @ 15V, 40A
    88A
    -
    NPT
    210nC
    160A
    22ns/163ns
    1.38mJ (on), 906μJ (off)
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    38.000013g
    EAR99
    22 ns
    6V
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