Microsemi Corporation APT40GR120B2D30
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APT40GR120B2D30
1619-APT40GR120B2D30
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 88A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
--最小包装量--
APT40GR120B2D30详情
Microsemi Corporation APT40GR120B2D30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
29 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Test Conditions
600V, 40A, 4.3 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
163 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2001
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
500W
元素配置
Single
输入类型
Standard
接通延迟时间
22 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
88A
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 40A
连续集电极电流
88A
IGBT类型
NPT
闸门收费
210nC
集极脉冲电流(Icm)
160A
Td(开/关)@25°C
22ns/163ns
开关能量
1.38mJ (on), 906μJ (off)
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
高度
5.31mm
长度
21.46mm
宽度
16.26mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT40GR120B2D30拓展信息
Microsemi Corporation
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