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APT8065SVRG备选型号: FQB12N60CTM
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 漏源击穿电压
- 漏源电阻
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Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2 Tab) D3PAKIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3D3 [S]13A TcTubePOWER MOS V®1997活跃1 (Unlimited)150°C-55°C800V13A280W12 nsN-Channel650mOhm @ 500mA, 10V4V @ 1mA3700pF @ 25V225nC @ 10V11ns800V12 ns13A30V3.7nF无符合RoHS标准无铅------
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK (TO-263AB)12A TcTape & Reel (TR)QFET®2007Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V12A225W-N-Channel650mOhm @ 6A, 10V4V @ 250μA2290pF @ 25V63nC @ 10V85ns600V90 ns12A30V2.29nF-符合RoHS标准无铅-55°C~150°C TJSingle±30V600V650mOhm650 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB15N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A | 对比 |
 | STB11NM80T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK | 对比 |
| FQB12N60CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 对比 |
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