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APT8065SVRG备选型号: STB15N80K5
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- 电压 - 额定直流
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2 Tab) D3PAKIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3D3 [S]13A TcTubePOWER MOS V®1997活跃1 (Unlimited)150°C-55°C800V13A280W12 nsN-Channel650mOhm @ 500mA, 10V4V @ 1mA3700pF @ 25V225nC @ 10V11ns800V12 ns13A30V3.7nF无符合RoHS标准无铅---------------------
MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14AACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-14A TcCut Tape (CT)SuperMESH5™-活跃1 (Unlimited)----190W19 nsN-Channel375m Ω @ 7A, 10V5V @ 100μA1100pF @ 100V32nC @ 10V17.6ns-10 ns14A30V--ROHS3 Compliant无铅26 WeeksSILICON-55°C~150°C TJe32EAR99Matte Tin (Sn) - annealed鸥翼not_compliantSTB15NR-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING±30V800V56A4.6mm10.4mm9.35mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK | 对比 |
| STB15N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A | 对比 |
 | FQB12N60CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 对比 |
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