APTGF50DDA60T3G备选型号: APTGT30H60T1G
- 隐藏公共属性
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 元素配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 功率 - 最大
- 辐射硬化
- Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 32-Pin Case SP-3Chassis Mount, Screw底座安装SP332600V2012e1yesObsolete1 (Unlimited)25EAR99锡银铜150°C-40°C250WUPPERUNSPECIFIED未说明未说明25R-XUFM-X25不合格双升压斩波器DualISOLATEDMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard600V65A250μA2.2nF52 ns2.45V @ 15V, 50A151 nsNPT有20V2.2nF @ 25V2.45 V符合RoHS标准-----
- Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 12-Pin Case SP-1Chassis Mount, Screw底座安装SP112600V2012e1yes活跃1 (Unlimited)12EAR99锡银铜--90WUPPERTHROUGH-HOLE--12--全桥逆变器-ISOLATEDMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard600V50A250μA1.6nF170 ns1.9V @ 15V, 30A310 ns沟渠现场停车有20V1.6nF @ 25V1.9 V符合RoHS标准36 WeeksSILICON-40°C~175°C TJ90W无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FP7G75US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | EPM7 | IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7 | 对比 | |
![]() | APTGF50DH60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1 | 对比 |
![]() | APTGT30H60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 12-Pin Case SP-1 | 对比 |





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