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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥260.873917
10
¥246.10747
100
¥232.17686
500
¥219.034772
1000
¥206.636577
ON Semiconductor FP7G75US60
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FP7G75US60
1807-FP7G75US60
晶体管 - IGBT - 模块
EPM7
大陆
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IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FP7G75US60详情
ON Semiconductor FP7G75US60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
EPM7
引脚数
7
供应商器件包装
EPM7
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Current-Collector (Ic) (Max)
75A
操作温度
-40°C~125°C TJ
系列
Power-SPM™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
310W
配置
半桥
元素配置
Dual
功率 - 最大
310W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
75A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
输入电容
4.515nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V, 75A
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
4.515nF @ 30V
RoHS状态
符合RoHS标准
FP7G75US60拓展信息
ON Semiconductor
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