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APTGF90H60T3G备选型号: APTGT75A60T1G
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- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
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IGBT MODULE 600V 120A 416W SP320 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP320600V2.1V2012Obsolete1 (Unlimited)15EAR99150°C-40°C416WUPPERUNSPECIFIED未说明未说明25R-XUFM-X15不合格全桥逆变器ISOLATED电源控制N-CHANNELStandard600V120A250μA4.4nF52 ns2.45V @ 15V, 100A152 nsNPT有4.4nF @ 25V2.45 V11.5mm73.4mm40.8mm符合RoHS标准无铅----------
IGBT MODULE 600V 100A 250W SP136 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP112600V1.5V2007活跃1 (Unlimited)12EAR99--250WUPPERTHROUGH-HOLE未说明未说明12-不合格半桥ISOLATEDMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard600V100A250μA4.62nF170 ns1.9V @ 15V, 75A310 ns沟渠现场停车有4.62nF @ 25V1.9 V11.5mm51.6mm40.8mm符合RoHS标准无铅IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)SILICON-40°C~175°C TJe1yes锡银铜Dual110 ns250W20V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGE50NC60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD IGBT Single Transistor, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins | 对比 |
 | APTGT100H60T3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP3 | IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3 | 对比 |
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