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AU5517DR2G备选型号: NE5517DG

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  • 资历状况
  • 输出类型
  • 电源
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  • 输入偏正电流
  • 最大输入电压
  • 电压 - 电源，单/双路（±）
  • 无卤素
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  • 电源类型
  • 输入失调电压(Vos)
  • 负电源电压(Vsup)
  • 平均偏置电流-最大值 (IIB)
  • 低偏移
  • 频率补偿
  • 电压 - 输入断态
  • 最大偏置电流 (IIB) @25C
  • 标称增益带宽积
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大输出电流
  • 通道数量
  • 输出电流
  • 最小输入电压
  • 统一增益 BW-（标准值）
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    AU5517DR2G
    ON Semiconductor
    IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    Tin
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    16
    665.986997mg
    2
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    TAPE AND REEL
    1.125W
    鸥翼
    260
    2
    15V
    40
    AU5517
    16
    不合格
    Push-Pull
    +-15V
    2
    2.6mA
    1.125W
    50V/μs
    Transconductance
    80 dB
    400nA
    -3V
    4V~44V ±2V~22V
    无卤素
    650μA
    Dual, Single
    5mV
    -15V
    8μA
    NO
    YES
    400μV
    5μA
    2MHz
    9.9mm
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NE5517DG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NE5517DGTRANS CONDUCTANCE AMPLIFIER, 2MHZ, SOIC-16
    LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    16
    665.986997mg
    -
    0°C~70°C
    Tube
    2012
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    RAIL
    1.125W
    鸥翼
    260
    2
    15V
    40
    NE5517
    16
    -
    Push-Pull
    -
    2
    2.6mA
    1.125W
    50V/μs
    Transconductance
    80 dB
    400nA
    5V
    4V~44V ±2V~22V
    无卤素
    650μA
    Dual, Single
    5mV
    -15V
    8μA
    NO
    YES
    400μV
    5μA
    2MHz
    10mm
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    26kOhm
    Tin (Sn)
    650μA
    2
    350A
    -5V
    2000 kHz
    4mm
    无SVHC
    无
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