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首页 全部分类 AUIRF1324S-7P vs FDB8860

AUIRF1324S-7P备选型号: FDB8860

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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 端子表面处理
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    AUIRF1324S-7P
    Infineon Technologies
    INFINEON AUIRF1324S-7P MOSFET Transistor, N Channel, 429 A, 24 V, 800 ohm, 10 V, 2 V
    39 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    240A Tc
    4V @ 250μA
    Tube
    HEXFET®
    2010
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    175°C
    -55°C
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    300W
    鸥翼
    260
    30
    R-XSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1m Ω @ 160A, 10V
    7700pF @ 19V
    252nC @ 10V
    240ns
    93 ns
    429A
    2V
    20V
    240A
    24V
    230 mJ
    4.55mm
    10.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB8860
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    80A Tc
    3V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2005
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    254W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 80A, 10V
    12585pF @ 15V
    214nC @ 10V
    213ns
    49 ns
    80A
    1.7V
    20V
    -
    30V
    947 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    1.31247g
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    yes
    Tin (Sn)
    ±20V
    0.0027Ohm
    11.33mm
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