Infineon Technologies AUIRF1324S-7P

工厂交货时间

39 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

引脚数

7

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

240A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

86 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

最大功率耗散

300W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-XSSO-G6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1m Ω @ 160A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7700pF @ 19V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

252nC @ 10V

上升时间

240ns

下降时间（典型值）

93 ns

连续放电电流(ID)

429A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

240A

漏源击穿电压

24V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

高度

4.55mm

长度

10.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant