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首页 全部分类 AUIRF7484QTR vs FDS8842NZ

AUIRF7484QTR备选型号: FDS8842NZ

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF7484QTR
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
    26 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    180 ns
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2015
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    1
    9.3 ns
    N-Channel
    10m Ω @ 14A, 7V
    2V @ 250μA
    3520pF @ 25V
    100nC @ 7V
    5ns
    40V
    ±8V
    58 ns
    14A
    8V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8842NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
    9 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    14.9A Ta
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    13 ns
    N-Channel
    7m Ω @ 14.9A, 10V
    3V @ 250μA
    3845pF @ 15V
    73nC @ 10V
    7ns
    -
    ±20V
    5 ns
    14.9A
    20V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    130mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    7MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    SWITCHING
    40V
    330 pF
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无
    无铅
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