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AUIRF8736M2TR备选型号: AUIRF7737L2TR

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF8736M2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 137A AUTO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric M4
    27A Ta 137A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4.8Ohm
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.9m Ω @ 85A, 10V
    3.9V @ 150μA
    6867pF @ 25V
    204nC @ 10V
    ±20V
    137A
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF7737L2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L6
    31A Ta 156A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    1.9m Ω @ 94A, 10V
    4V @ 150μA
    5469pF @ 25V
    134nC @ 10V
    ±20V
    31A
    40V
    ROHS3 Compliant
    13
    SILICON
    e3
    7
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    R-XBCC-N7
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    19ns
    14 ns
    20V
    624A
    386 mJ
    无
    无铅
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