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首页 全部分类 AUIRF8736M2TR vs FDMD8540L

AUIRF8736M2TR备选型号: FDMD8540L

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    AUIRF8736M2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 137A AUTO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric M4
    27A Ta 137A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4.8Ohm
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.9m Ω @ 85A, 10V
    3.9V @ 150μA
    6867pF @ 25V
    204nC @ 10V
    ±20V
    137A
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMD8540L
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    33A 156A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    -
    2 N-Channel (Half Bridge)
    1.5m Ω @ 33A, 10V
    3V @ 250μA
    7940pF @ 20V
    113nC @ 10V
    -
    156A
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8
    94.85095mg
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    2.3W
    not_compliant
    Dual
    40V
    Standard
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