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首页 全部分类 AUIRF8736M2TR vs IRF2804STRL7PP

AUIRF8736M2TR备选型号: IRF2804STRL7PP

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  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF8736M2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 137A AUTO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric M4
    27A Ta 137A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4.8Ohm
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.9m Ω @ 85A, 10V
    3.9V @ 150μA
    6867pF @ 25V
    204nC @ 10V
    ±20V
    137A
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF2804STRL7PP
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.6MOhm
    260
    30
    -
    N-Channel
    1.6m Ω @ 160A, 10V
    4V @ 250μA
    6930pF @ 25V
    260nC @ 10V
    ±20V
    320A
    40V
    ROHS3 Compliant
    7
    SILICON
    e3
    6
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    40V
    鸥翼
    160A
    R-PSSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    13 ns
    SWITCHING
    150ns
    105 ns
    4V
    20V
    65 ns
    4 V
    4.5466mm
    10.5mm
    8.15mm
    无SVHC
    无
    含铅
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