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首页 全部分类 AUIRFB8409 vs IRF1404PBF

AUIRFB8409备选型号: IRF1404PBF

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  • 栅源电压
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  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
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  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
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  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    AUIRFB8409
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1
    Single
    375W
    32 ns
    N-Channel
    1.3m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    14240pF @ 25V
    450nC @ 10V
    105ns
    40V
    ±20V
    100 ns
    195A
    3.9V
    20V
    2.2 V
    9.02mm
    10.67mm
    3.43mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1404PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    202A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1
    Single
    333W
    17 ns
    N-Channel
    4m Ω @ 121A, 10V
    4V @ 250μA
    5669pF @ 25V
    196nC @ 10V
    190ns
    -
    ±20V
    33 ns
    202A
    4V
    20V
    4 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    3
    通孔
    4mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    40V
    162A
    2.54mm
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    75A
    40V
    808A
    40V
    620 mJ
    117 ns
    175°C
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