AUIRFB8409备选型号: IRFB7430PBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB16 Weeks通孔通孔TO-220-33195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010活跃1 (Unlimited)EAR991Single375W32 nsN-Channel1.3m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 250μA14240pF @ 25V450nC @ 10V105ns40V±20V100 ns195A3.9V20V2.2 V9.02mm10.67mm3.43mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET N CH 40V 195A TO22012 Weeks通孔通孔TO-220-33195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2008活跃1 (Unlimited)EAR99-Single375W32 nsN-Channel1.3m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 250μA14240pF @ 25V460nC @ 10V105ns-±20V100 ns195A2.2V20V-16.51mm10.67mm4.83mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SILICON3增强型MOSFETDRAINSWITCHINGTO-220AB40V760 mJ52 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF1404PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB | 对比 |
| BUK7504-40A,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | 对比 | |
![]() | IRFB7434PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 324 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 | 对比 |



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