AUIRFU8405备选型号: IRFU7440PBF

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  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
    26 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    Surface Mount, Through Hole
    3
    51 ns
    HEXFET®
    2013
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1
    Single
    163W
    12 ns
    N-Channel
    1.98m Ω @ 90A, 10V
    3.9V @ 100μA
    5171pF @ 25V
    155nC @ 10V
    80ns
    ±20V
    51 ns
    100A
    3V
    20V
    40V
    3 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 2.4 mOhm 89 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
    12 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    90A Tc
    HEXFET®
    2004
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    140W
    11 ns
    N-Channel
    2.4m Ω @ 90A, 10V
    3.9V @ 100μA
    4610pF @ 25V
    134nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    34 ns
    90A
    3V
    20V
    40V
    3 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    SILICON
    3
    2.4MOhm
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    760A
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