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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥23.347917
10
¥22.026336
100
¥20.779563
500
¥19.603362
1000
¥18.493737
Infineon Technologies AUIRFU8405
- 收藏
- 对比
AUIRFU8405
1211-AUIRFU8405
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AUIRFU8405详情
Infineon Technologies AUIRFU8405重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
安装类型
通孔
底架
Surface Mount, Through Hole
引脚数
3
Turn Off Delay Time
51 ns
Power Dissipation (Max)
163W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
系列
HEXFET®
已出版
2013
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
163W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.98m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5171pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
155nC @ 10V
上升时间
80ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
51 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
栅源电压
3 V
宽度
2.39mm
长度
6.73mm
高度
6.22mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
AUIRFU8405拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









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