AUIRGS4062D1备选型号: STGB30H60DF
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- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
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- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- RoHS状态
- 最大击穿电压
- IGBT 600V 59A 246W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3600V-55°C~175°C TJTube2013Obsolete1 (Unlimited)EAR99246W未说明未说明IRGS4062DPBF41nsSingleStandard246WN-CHANNEL1.77V59A102 ns1.77V @ 15V, 24ATrench77nC72A19ns/90ns532μJ (on), 311μJ (off)20V6.5V40nsROHS3 Compliant-
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3600V-40°C~175°C TJCut Tape (CT)-Obsolete1 (Unlimited)EAR99260W未说明未说明STGB30-SingleStandard260WN-CHANNEL2.4V60A110 ns2.4V @ 15V, 30A沟渠现场停车105nC120A50ns/160ns350μJ (on), 400μJ (off)20V--ROHS3 Compliant600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGB30H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IRGS4630DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | 对比 |
![]() | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |




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