STMicroelectronics STGB30H60DF
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STGB30H60DF
2381-STGB30H60DF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
--最小包装量--
STGB30H60DF详情
STMicroelectronics STGB30H60DF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
260W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGB30
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
260W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
110 ns
最大击穿电压
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 30A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
105nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
50ns/160ns
开关能量
350μJ (on), 400μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGB30H60DF拓展信息
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