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首页 全部分类 BBS3002-DL-1E vs IRFS7540TRLPBF

BBS3002-DL-1E备选型号: IRFS7540TRLPBF

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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    BBS3002-DL-1E
    ON Semiconductor
    BBS3002 Series 60 V 100 A 5.8 mOhm SMT P-Channel Power Mosfet - D2PAK-3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    2
    100A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    Single
    95 ns
    P-Channel
    5.8m Ω @ 50A, 10V
    13200pF @ 20V
    280nC @ 10V
    1μs
    60V
    ±20V
    820 ns
    100A
    20V
    -60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7540TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    Single
    12 ns
    N-Channel
    5.1m Ω @ 65A, 10V
    4555pF @ 25V
    130nC @ 10V
    76ns
    60V
    ±20V
    56 ns
    110A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    3.949996g
    SILICON
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    SWITCHING
    3.7V @ 100μA
    3.7V
    60V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
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