ON Semiconductor BBS3002-DL-1E
- 收藏
- 对比
BBS3002-DL-1E
1807-BBS3002-DL-1E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

BBS3002 Series 60 V 100 A 5.8 mOhm SMT P-Channel Power Mosfet - D2PAK-3
--最小包装量--
BBS3002-DL-1E详情
ON Semiconductor BBS3002-DL-1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Power Dissipation (Max)
90W Tc
Turn Off Delay Time
800 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
元素配置
Single
接通延迟时间
95 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.8m Ω @ 50A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13200pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
280nC @ 10V
上升时间
1μs
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
820 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BBS3002-DL-1E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。