BC856BDW1T3G备选型号: BC846BPDW1T1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 引脚数量
- 参考标准
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 无卤素
- 达到SVHC
- ON Semi BC856BDW1T3G Dual PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 6-Pin SOT-363ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8 Weeks表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES6SILICON65V-650mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)-65V380mW鸥翼-100mA100MHz6AEC-Q101PNPDual380mWAMPLIFIER100MHz2 PNP (Dual)65V100mA220 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA100MHz65V80V-5V950μm2.08mm1.25mm无ROHS3 Compliant无铅------
- TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES6SILICON65V600mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-65V380mW鸥翼100mA100MHz6-NPN, PNPDual380mWAMPLIFIER100MHzNPN, PNP65V100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA100MHz65V80V5V990.6μm2.1844mm1.3462mm无ROHS3 Compliant无铅Tin26040BC846BP无卤素无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC846BPDW1T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363 | 对比 | |
| MUN5316DW1T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | 对比 |


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