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首页 全部分类 BC856BDW1T3G vs MUN5316DW1T1G

BC856BDW1T3G备选型号: MUN5316DW1T1G

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
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  • 基本部件号
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    BC856BDW1T3G
    ON Semiconductor
    ON Semi BC856BDW1T3G Dual PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 6-Pin SOT-363
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    65V
    -650mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -65V
    380mW
    鸥翼
    -100mA
    100MHz
    6
    AEC-Q101
    PNP
    Dual
    380mW
    AMPLIFIER
    100MHz
    2 PNP (Dual)
    65V
    100mA
    220 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    650mV @ 5mA, 100mA
    100MHz
    65V
    80V
    -5V
    950μm
    2.08mm
    1.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN5316DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    50V
    250mW
    鸥翼
    100mA
    -
    6
    -
    NPN, PNP
    Dual
    187mW
    SWITCHING
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    -
    50V
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    260
    40
    MUN53**DW1
    100mA
    50V
    4.7k Ω
    100mA
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