BC857CE6327HTSA1备选型号: FJV4113RMTF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 极性
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R26 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON45V650mV150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-45V330mWDUAL鸥翼-100mA250MHzBC857Single330mWSWITCHING不含卤素PNPPNP650mV100mA420 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA250MHz45V50V5V900μm2.9mm1.3mm无ROHS3 Compliant无铅-------------
- Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K2 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-68-300mV-Tape & Reel (TR)2013e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-50V200mWDUAL鸥翼-100mA-FJV4113Single200mWSWITCHING--PNP - Pre-Biased50V100mA68 @ 5mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA200MHz50V-50V-10V930μm2.92mm1.3mm-ROHS3 Compliant无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)30mg150°C-55°C8541.21.00.95未说明未说明不合格PNP200MHz2.2 k Ω-100mA47 k Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJV4114RMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K | 对比 |
![]() | DDTA114ECA-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | 对比 |
| BCX71JLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 | 对比 |




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