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Infineon Technologies BC857CE6327HTSA1

Name: BC857CE6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BC857CE6327HTSA1
Price: 1.64 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BC857CE6327HTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BC857CE6327HTSA1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BC857CE6327HTSA1 Infineon Technologies Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BC857CE6327HTSA1详情

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Infineon Technologies BC857CE6327HTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

26 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
Collector-Emitter Saturation Voltage

650mV
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2011
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
电压 - 额定直流

-45V
最大功率耗散

330mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
额定电流

-100mA
频率

250MHz
基本部件号

BC857
元素配置

Single
功率耗散

330mW
晶体管应用

SWITCHING
无卤素

不含卤素
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

650mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA
转换频率

250MHz
最大击穿电压

45V
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
高度

900μm
长度

2.9mm
宽度

1.3mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BC857CE6327HTSA1拓展信息

热销零件